收藏本站
型号 IPB049NE7N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IPB049NE7N3 G PDF
代理商 IPB049NE7N3 G
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.9 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.8V @ 91µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4750pF @ 37.5V
功率 - 最大 150W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 标准包装
其它名称 IPB049NE7N3 GDKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB049NE7N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IPB049NE7N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IPB04N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
IPB04N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
IPB04N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
IPB04N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
IPB04N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
IPB04N03LAT Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
IPB04N03LAT Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
IPB04N03LAT Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
IPB04N03LB Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPB04N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPB050N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB050N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB050N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB052N04N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
IPB052N04N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
IPB052N04N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
IPB054N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB054N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3